Rohm SemiconductorЯпония
TRANS NPN 120V 0.05A SPT
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер120 V
Ток коллектора50 mAМакс.
Коэффициент усиления hFE1802mA
Мощность300 mWМакс.
| Питание | |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 mA |
| Power - Max | 300 mW |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 140MHz |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | SC-72 Formed Leads |
| Supplier Device Package | SPT |
| Другое | |
| Mfr | Rohm Semiconductor |
| Product Status | Obsolete |
| Series | - |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 1mA, 10mA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.