Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| IC-最大集电极电流 | 0.15A |
| VCBO-集基级击穿电压 | 60V |
| VCEO-CE结击穿电压 | 50V |
| VCEO-集射级击穿电压 | 50V |
| VEBO-射基级击穿电压 | 5V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| fT-变换频率 | 80MHZ |
| hFE-最小直流增益 | 120 |
| Hfe-最小直流增益 | 120 |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| 封装类型1 | SOT416 |
| 最大工作温度 | 125℃ |
| Другое | |
| Pd-功率耗散 | 0.1W |
| Pd-最大功率耗散 | 0.1W |
| VCE(sat)-CE结饱和压降 | 0.25V |
| VCE(sat)-集射级饱和压降 | 0.25V |
| 引脚数量1 | 3 |
Изображения
Документы
DatasheetDatasheet · 357.6 KB · 2026-09-22Catalog & SelectionCatalog & Selection · 8.7 MB · 2026-09-22Application NoteApplication Note · 804.7 KB · 2026-09-22Application NoteApplication Note · 637.1 KB · 2026-09-22Application NoteApplication Note · 556.0 KB · 2026-09-22Application NoteApplication Note · 542.7 KB · 2026-09-22Application NoteApplication Note · 533.0 KB · 2026-09-22Catalog & SelectionCatalog & Selection · 410.5 KB · 2026-09-22
Центр документации