Поиск аналогов электронных компонентов
onsemiСША

2SC5658M3

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
IC-最大集电极电流0.1A
VCBO-集基级击穿电压50V
VCEO-集射级击穿电压50V
VEBO-射基级击穿电压7V
Характеристики по постоянному и переменному току
fT-变换频率180MHZ
hFE-最小直流增益120
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1SOT723
最大工作温度150℃
Другое
Pd-功率耗散0.26W
VCE(sat)-集射级饱和压降0.4V
引脚数量13

Документы