Rohm SemiconductorЯпония
TRANS NPN 11V 0.05A VMT3
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер11 V
Ток коллектора50 mAМакс.
Коэффициент усиления hFE825mA
Мощность150 mWМакс.
| Питание | |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 mA |
| Power - Max | 150 mW |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 11 V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 3.2GHz |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel® |
| Package / Case | SOT-723 |
| Supplier Device Package | VMT3 |
| Другое | |
| Base Product Number | 2SC5662 |
| Mfr | Rohm Semiconductor |
| Product Status | Active |
| Series | - |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 10mA |