GME(银河微电)Китай
100V,3A,Medium Power NPN Bipolar Transistor
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| 基极电流 IB (mA) | 150 |
| 电流放大倍数 hFE max | 200 |
| 电流放大倍数 hFE min | 100 |
| 集电极-发射极击穿电压 VCEO (V) | 100 |
| 集电极电流 IC (A) | 3 |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| 特征频率 fT min (MHz) | 180(typ) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| REACH 合规 | YES |
| RoHS 合规 | YES |
| 封装 Package | TO-252 |
| Другое | |
| AEC-Q 车规认证 | NO |
| 出口管制编码 ECCN | EAR99 |
| 无卤 Halide-free | YES |
| 无铅 Pb-free | YES |
| 最低结温 Tj min (℃) | -55 |
| 最大耗散功率 PD (mW) | 1 |
| 最高结温 Tj max (℃) | 150 |
| 极性 Polarity | NPN |
| 生命周期 Marketing Status | Active |
| 饱和压降 VCE(sat) (V) | 0.4 |
Изображения
Документы
DatasheetDatasheet · 713.5 KB · 2026-09-23EnvironmentalEnvironmental · 2.0 MB · 2026-09-23Package DrawingPackage Drawing · 1.1 MB · 2026-09-23EnvironmentalEnvironmental · 875.1 KB · 2026-09-23Package DrawingPackage Drawing · 713.8 KB · 2026-09-23Package DrawingPackage Drawing · 633.3 KB · 2026-09-23
Центр документации