VBsemi(微碧半导体)Китай
4800AGM-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока13 A
Сопротивление в открытом состоянии8 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 13A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,10A |
| 数量 | 1个N沟道 |