MOSFET N-CH 800V 29A ISOTOP
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток800 V
Постоянный ток стока29 A
Сопротивление в открытом состоянии240 mΩМакс. · 14.5A
Пороговое напряжение5 VМакс. · 2.5mA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 460W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Supplier Device Package | ISOTOP® |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4670 pF @ 25 V |
| Mfr | Microchip Technology |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 14.5A, 10V |
| Series | POWER MOS 7® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.