MOSFET N-CH 100V 495A SP6
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 29, из них китайских: 5. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока495 A
Сопротивление в открытом состоянии2.5 mΩМакс. · 200A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 10mA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 495A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 1250W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C~150°C(TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | SP6 |
| Supplier Device Package | SP6 |
| Другое | |
| Base Product Number | APTM10 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1360 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 40000 pF @ 25 V |
| Mfr | Microchip Technology |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 200A, 10V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 10mA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.