STMicroelectronicsШвейцария
Based on an optimized process layout, ST’s 36 & 50 V LDMOS transistors meet the stringent peak power (>1KW) and ruggedness requirements (>10:1 VSWR) of avionics and radar applications.
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Технические параметры этого компонента пока не указаны.
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.