Rohm SemiconductorЯпония
DIODE GEN PURP 80V 215MA SSD3
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение80 V
Средний выпрямленный ток215 mA
Прямое падение напряжения1.25 VМакс. · 150 mA
ТипStandardStandard Recovery >500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 215mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 nA @ 75 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 80 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 150 mA |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 150°C(Max) |
| Package | Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SSD3 |
| Другое | |
| Base Product Number | BAS116 |
| Capacitance @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Diode Type | Standard |
| Mfr | Rohm Semiconductor |
| Product Status | Not For New Designs |
| Reverse Recovery Time (trr) | 3 µs |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.