HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式配置，正向电流（IF）为0.35A，反向重复峰值电压（VR）为40V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为5μA，在低功耗应用中表现良好。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有要求的整流、续流及信号箝位等电路场合。