HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为20V，正向压降（VF）低至0.45V，在20V反向电压下漏电流（IR）不超过1000μA。器件具备高达25A的正向浪涌电流（IFSM）承受能力，适用于低压整流、电源转换、电池充放电管理及高频开关电路等应用，其低导通压降有助于提升系统效率并减少热损耗。