Infineon TechnologiesГермания
BIPOLAR DARLINGTON TRANSISTOR
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер60 V
Ток коллектора500 mAМакс.
Коэффициент усиления hFE10000100mA
Мощность1.5 WМакс.
| Питание | |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Power - Max | 1.5 W |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10000 @ 100mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Другое | |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Active |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100µA, 100mA |