BORN(伯恩半导体)Китай
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Другое | |
| ID(A) | 12 |
| P.D.(W) | 110 |
| RDS(ON)Max.@VGS/IDS(mΩ) | 1.0 |
| VDSS(V) | 700 |
| VGS/IDS@ RDS(ON) (V)/(A) | 10/6 |
| VGS(th)(V) | 2 |
| VGS(V) | ±30 |
| Питание | |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Другое | |
| ID(A) | 12 |
| P.D.(W) | 110 |
| RDS(ON)Max.@VGS/IDS(mΩ) | 1.0 |
| VDSS(V) | 700 |
| VGS/IDS@ RDS(ON) (V)/(A) | 10/6 |
| VGS(th)(V) | 2 |
| VGS(V) | ±30 |