Поиск аналогов электронных компонентов
onsemiСША

BUT11AF

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
IC-最大集电极电流5A
VCBO-集基级击穿电压1000V
VCEO-集射级击穿电压450V
VEBO-射基级击穿电压9V
Характеристики по постоянному и переменному току
fT-变换频率NMHZ
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1TO-220F
最大工作温度150℃
Другое
Pd-功率耗散40W
VCE(sat)-集射级饱和压降1.5V
引脚数量13

Документы