DIODE GEN PURP 50V 200MA DIE
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 2. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение50 V
Средний выпрямленный ток200 mA
Прямое падение напряжения1 VМакс. · 10 mA
ТипStandardSmall Signal =< 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 nA @ 50 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 10 mA |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C~175°C |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | Die |
| Supplier Device Package | Die |
| Другое | |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Diode Type | Standard |
| Mfr | Microchip Technology |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 ns |
| Series | - |
| Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.