Applied Power(应能微)Китай
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| Package | TO-251 |
| Другое | |
| Configuration | Single |
| ID(A) | -19 |
| N/P | P |
| Plateform | SGT MOSFET |
| Rdson @VGS10V Max(mΩ) | 110 |
| Rdson @VGS10V Typ(mΩ) | 83 |
| Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) | 120 |
| Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) | 95 |
| VDSS(V) | -100 |
| VGS(th) Max | -2.5 |
| VGS(th) Min | -1 |
| VGS(V) | ±20 |