Applied Power(应能微)Китай
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| Package | DFN3030 |
| Другое | |
| Configuration | Single |
| ID(A) | -40 |
| N/P | P |
| Plateform | Trench MOSFET |
| Rdson @VGS10V Max(mΩ) | 11 |
| Rdson @VGS10V Typ(mΩ) | 8.5 |
| Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) | 16 |
| Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) | 12 |
| VDSS(V) | -20 |
| VGS(th) Max | -1 |
| VGS(th) Min | -0.4 |
| VGS(V) | ±12 |