Applied Power(应能微)Китай
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| Package | DFN2x2 |
| Другое | |
| Configuration | Dual |
| ID(A) | -5 |
| N/P | P |
| Plateform | Trench MOSFET |
| Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) | 80 |
| Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) | 60 |
| Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) | 56 |
| Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) | 46 |
| VDSS(V) | -20 |
| VGS(th) Max | -1 |
| VGS(th) Min | -0.4 |
| VGS(V) | ±12 |