VBsemi(微碧半导体)Китай
CSD19502Q5B-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；N—Channel沟道,85V；140A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=1~3V；是一款单N型沟道MOSFET，采用SGT技术，在各类功率开关模块应用中广泛应用。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток85 V
Постоянный ток стока140 A
Сопротивление в открытом состоянии3 mΩМакс. · 10V
Пороговое напряжение3 VМакс. · 250uA
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 85V |
| 连续漏极电流(Id) | 140A |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V |