MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 11. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток80 V
Постоянный ток стока100 A
Сопротивление в открытом состоянии9.2 mΩМакс. · 60A
Пороговое напряжение3.4 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 188W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C~175°C(TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Другое | |
| Base Product Number | CSD19503 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2730 pF @ 40 V |
| Mfr | Texas Instruments |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.2mOhm @ 60A, 10V |
| Series | NexFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA |