Поиск аналогов электронных компонентов
CSD19535KCS

CSD19535KCS

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleTO-220-3

MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока150 A
Сопротивление в открытом состоянии3.6 mΩМакс. · 100A
Пороговое напряжение3.4 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C150A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Power Dissipation (Max)300W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~175°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220-3
Другое
Base Product NumberCSD19535
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7930 pF @ 50 V
MfrTexas Instruments
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6mOhm @ 100A, 10V
SeriesNexFET™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.4V @ 250µA

Изображения

Документы