CW(芯源)Китай
N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| 最大漏极电流Id(on)(A) | 7 |
| 漏源电压BV DSS (V)(Min.) | 650 |
| 通道极性 | N沟道 |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| 封装 | TO-251-3L(IPAK) |
| 工作温度(℃) | -55~125 |
| Другое | |
| 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.) | 600 |
| 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.) | 480 |