D2H042DB1是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| 应用电压 | 48 V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| 增益 | 22.7 dB |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| 产品尺寸 | 785*1515 mm |
| Другое | |
| 典型功率 | 42 W |
| 效率 | 82 % |