onsemiСША
DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 9, из них китайских: 1. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение200 V
Средний выпрямленный ток3 A
Прямое падение напряжения980 mVМакс. · 3 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 400 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 980 mV @ 3 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 150°C(Max) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | DO-201AD, Axial |
| Supplier Device Package | Axial |
| Другое | |
| Base Product Number | DLE30 |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Diode Type | Standard |
| Mfr | onsemi |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Series | - |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |