Поиск аналогов электронных компонентов
DMN2016LHAB

DMN2016LHAB

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETs

N-Channel MOSFET

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Условия эксплуатации и корпус
AEC QualifiedYes
Другое
C ISS Typ (pF)1550 pF
Compliance (Only Automotive Supports PPAP)Standard
ESD Diodes (Y|N)Yes
|I DS | @T A = +25°C (A)7.5 A
P D @T A = +25°C (W)1.65 W
PolarityN+N
Q G Typ @ |V GS | = 10V (nC)37 nC
Q G Typ @ |V GS | = 4.5V (nC)16 nC
R DS(ON) Max@ V GS (1.8V) (mΩ)30 mΩ
R DS(ON) Max@ V GS (2.5V) (mΩ)20 mΩ
R DS(ON) Max@ V GS (4.5V) (mΩ)15.5 mΩ
|V DS | (V)20 V
|V GS(TH) | Max (V)1.1 V
|V GS(TH) | Min (V)0.5 V
|V GS | (±V)12 ±V

Изображения

Документы