Поиск аналогов электронных компонентов

台积电流片,长电科技封装;是一款双P型MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于各种电源和功率控制应用,包括但不限于开关电源、电池管理、电机驱动和汽车电子系统等领域的模块设计。SOP8;2个P—Channel沟道,-30V;-8A;RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока8 A
Питание
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8A
Другое
数量2个P沟道
耗散功率(Pd)2.5W

Документы