HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
【联系：sales@hxymos.com】该快恢复/高效率二极管采用独立式结构，具有3A的额定正向电流和600V的反向耐压能力，正向压降为1.7V，反向漏电流低至5μA，展现出良好的导通效率与阻断性能。器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流，在高频开关电路中能有效减少恢复损耗，适用于对响应速度和能效有较高要求的电源整流、逆变及各类高效电能转换场合。
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Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Прямое падение напряжения1.7 VМакс.
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| 封装 | SMB |
| Другое | |
| IF | 3A |
| IFSM | 80A |
| IR | 5uA |
| VF | 1.7V |
| VR | 600V |
| 二极管配置 | 独立式 |