BORN(伯恩半导体)Китай

ES2C

ПроизводитсяSingle Diodes

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

IF(A)	2.0
IFSM(A)	50
IR(µA)	5.0
Trr（ns）	35
VF@IF（V）	0.95
VRRM(V)	150

Документы

DatasheetDatasheet · 862.4 KB · 2026-09-23 DatasheetDatasheet · 710.5 KB · 2026-09-23

Центр документации