HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
【联系：sales@hxymos.com】该快恢复/高效率二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向重复电压为600V。其正向压降为1.7V，反向漏电流低至5μA，体现出良好的导通效率与关断特性。器件可承受80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、开关电源及对恢复时间与能效有较高要求的电力电子应用，在动态工作条件下保持稳定可靠的性能表现。
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Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Прямое падение напряжения1.7 VМакс.
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| 封装 | SMB |
| Другое | |
| IF | 3A |
| IFSM | 80A |
| IR | 5uA |
| VF | 1.7V |
| VR | 600V |
| 二极管配置 | 独立式 |