HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

ES3J 快恢复/高效率二极管，采用 SMB 封装，提供 3A 的正向电流 (IF) 和 600V 的反向电压 (VR)。正向压降 (VF) 低至 1.7V，有助于减少热损耗，提高效率。反向漏电流 (IR) 低至 5μA，确保在关断状态下的低功耗。最大浪涌电流 (IFSM) 可达 80A，增强了器件的耐冲击能力。ES3J 是高效整流和快速开关应用的理想选择。