HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
【联系：sales@hxymos.com】该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流为3A，最大反向重复电压达600V。其正向压降典型值为1.7V，在关断状态下反向漏电流仅为10μA，具备优异的能效表现。器件可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对开关速度和导通损耗有较高要求的电源转换及整流场景，确保系统在高频工作条件下的稳定性和可靠性。
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Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Прямое падение напряжения1.7 VМакс.
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| 封装 | SMC |
| Другое | |
| IF | 3A |
| IFSM | 100A |
| IR | 10uA |
| VF | 1.7V |
| VR | 600V |
| 二极管配置 | 独立式 |