HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为8A，反向重复耐压（VR）达650V，正向导通压降（VF）典型值1.38V，在高频工作条件下可有效降低导通损耗。基于碳化硅材料特性，具备优异的高温稳定性与快速开关性能，反向恢复时间极短，适用于高效率电源转换电路。常用于高性能开关电源、不间断电源系统、光伏逆变装置及高密度DC-DC转换模块中，作为整流与防反接元件，有助于提升系统能效并减小散热设计负担。【联系：sales@hxymos.com】
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Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Прямое падение напряжения1.38 VМакс.
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| 封装 | TO-220C-2L |
| Другое | |
| IF | 8A |
| VF | 1.38V |
| VR | 650V |
| 二极管配置 | 独立式 |