VBsemi(微碧半导体)Китай
FDI045N10A-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleTO263；N—Channel沟道,100V；140A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока140 A
Сопротивление в открытом состоянии4 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 140A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V,30A |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W |