Поиск аналогов электронных компонентов

FDM606P

Снят с производстваTransistors - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока6.8 A
Сопротивление в открытом состоянии30 mΩМакс. · 6.8A
Пороговое напряжение1.5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Power Dissipation (Max)1.92W (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageBulk
Package / Case8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Supplier Device Package8-MLP, MicroFET (3x2)
Другое
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2200 pF @ 10 V
MfrFairchild Semiconductor
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 6.8A, 4.5V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Документы