Поиск аналогов электронных компонентов
onsemiСША

FDMA291P

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - Single6-WDFN Exposed Pad

MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 5, из них китайских: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока6.6 A
Сопротивление в открытом состоянии42 mΩМакс. · 6.6A
Пороговое напряжение1 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Power Dissipation (Max)2.4W (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Supplier Device Package6-MicroFET (2x2)
Другое
Base Product NumberFDMA291
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1000 pF @ 10 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 6.6A, 4.5V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Документы