Поиск аналогов электронных компонентов
FDMQ8203
onsemiСША

FDMQ8203

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.4A, 2.6A
Drain to Source Voltage (Vdss)100V, 80V
Power - Max2.5W
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case12-WDFN Exposed Pad
Supplier Device Package12-MLP (5x4.5)
Другое
Base Product NumberFDMQ82
FET FeatureLogic Level Gate
FET Type2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds210pF @ 50V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 3A, 10V
SeriesGreenBridge™ PowerTrench®
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Изображения

Документы