POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока21 ~ 49 A
Сопротивление в открытом состоянии3.5 mΩМакс. · 21A
Пороговое напряжение3 VМакс. · 1mA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 49A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 15 V |
| Mfr | Fairchild Semiconductor |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 21A, 10V |
| Series | PowerTrench®, SyncFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.