onsemiСША
MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A 8MLP
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 3. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток200 V
Постоянный ток стока3.7 ~ 20 A
Сопротивление в открытом состоянии77 mΩМакс. · 3.7A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Ta), 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 78W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel® |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Supplier Device Package | 8-MLP (5x6), Power56 |
| Другое | |
| Base Product Number | FDMS26 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2315 pF @ 100 V |
| Mfr | onsemi |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 3.7A, 10V |
| Series | UltraFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.