VBsemi(微碧半导体)Китай
FDMS3572-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleDFN8(5X6)；N—Channel沟道,80V；60A；RDS(ON)=6.1mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток80 V
Постоянный ток стока60 A
Сопротивление в открытом состоянии6.4 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 连续漏极电流(Id) | 60A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.4mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |