Поиск аналогов электронных компонентов

FDMS3606AS

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - Arrays

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A, 27A
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Power - Max1W
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageBulk
Package / Case8-PowerTDFN
Supplier Device Package8-PQFN (5x6)
Другое
FET FeatureLogic Level Gate
FET Type2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1695pF @ 15V
MfrFairchild Semiconductor
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 13A, 10V
SeriesPowerTrench®
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA

Документы