Поиск аналогов электронных компонентов
onsemiСША

FDMS7678

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 30V 17.5A/26A 8PQFN

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 7, из них китайских: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока17.5 ~ 26 A
Сопротивление в открытом состоянии5.5 mΩМакс. · 17.5A
Пороговое напряжение3 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17.5A (Ta), 26A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)2.3W (Ta), 41W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case8-PowerTDFN
Supplier Device Package8-PQFN (5x6)
Другое
Base Product NumberFDMS76
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2410 pF @ 15 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 17.5A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.