VBsemi(微碧半导体)Китай
FDMS7682-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有较高的漏极电压和漏极电流能力，以及低阈值电压和低开启电阻的特性。采用Trench技术制造，具有优良的性能稳定性和可靠性。适用于小型电路设计，有利于节省空间。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；120A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока21 A
Сопротивление в открытом состоянии3 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 21A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |