VBsemi(微碧半导体)Китай
FDMS86152-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；N—Channel沟道；100V；105A；RDS(ON)=5.6(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用SGT技术；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока105 A
Сопротивление в открытом состоянии6 mΩМакс. · 4.5V
Пороговое напряжение3 VМакс. · 250uA
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 105A |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V |