Поиск аналогов электронных компонентов
FDMS86180
onsemiСША

FDMS86180

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 100V 151A POWER56

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока151 A
Сопротивление в открытом состоянии3.2 mΩМакс. · 67A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 370μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C151A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Power Dissipation (Max)138W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case8-PowerTDFN
Supplier Device PackagePower56
Другое
Base Product NumberFDMS86
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6215 pF @ 50 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 67A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 370µA

Изображения

Документы