Поиск аналогов электронных компонентов
FDMS86202
onsemiСША

FDMS86202

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток120 V
Постоянный ток стока13.5 A
Сопротивление в открытом состоянии7.2 mΩМакс. · 13.5A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Power Dissipation (Max)2.7W (Ta), 156W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case8-PowerTDFN
Supplier Device Package8-PQFN (5x6)
Другое
Base Product NumberFDMS86
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4250 pF @ 60 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.2mOhm @ 13.5A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Изображения

Документы