Поиск аналогов электронных компонентов
onsemiСША

FDMS86252L

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток150 V
Постоянный ток стока4.4 A
Сопротивление в открытом состоянии56 mΩМакс. · 4.4A
Пороговое напряжение3 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 50W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case8-PowerTDFN
Supplier Device Package8-PQFN (5x6)
Другое
Base Product NumberFDMS86252
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1335 pF @ 75 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs56mOhm @ 4.4A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Документы