HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

【联系：sales@hxymos.com】该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.3毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。低导通电阻有助于降低导通损耗，提升整体能效，同时支持高电流密度工作。适用于高效率电源转换、便携式设备供电系统、服务器电源模块及各类需要高频开关操作的电子装置，在热管理和空间受限的应用中具有良好的适应性。