Поиск аналогов электронных компонентов
FDN5618P
onsemiСША

FDN5618P

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleSOT-23-3

MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока1.25 A
Сопротивление в открытом состоянии170 mΩМакс. · 1.25A
Пороговое напряжение3 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.25A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)500mW (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23-3
Другое
Base Product NumberFDN5618
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds430 pF @ 30 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs170mOhm @ 1.25A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Изображения

Документы