Поиск аналогов электронных компонентов
onsemiСША

FDS6676AS

Снят с производстваTransistors - FETs, MOSFETs - Single8-SOIC

MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока14.5 A
Сопротивление в открытом состоянии6 mΩМакс. · 14.5A
Пороговое напряжение3 VМакс. · 1mA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC
Другое
Base Product NumberFDS66
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2510 pF @ 15 V
Mfronsemi
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 14.5A, 10V
SeriesPowerTrench®, SyncFET™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

Документы